دانلود پروژه شبیه سازی رفتار غیر خطی منحنی مشخصه HEMT

دانلود پروژه شبیه سازی رفتار غیر خطی منحنی مشخصه HEMT

اندازه: نامشخص

دسته بندی: - -

قیمت: 14900 تومان

تعداد نمایش: 16 نمایش

ارسال توسط:

تاریخ ارسال: ۲۶ آبان ۱۳۹۷

به روز رسانی در: ۲۶ آبان ۱۳۹۷

خرید این محصول:

پس از پرداخت لینک دانلود برای شما نمایش داده می شود.

دانلود پروژه شبیه سازی رفتار غیر خطی منحنی مشخصه HEMT

 

تعداد صفحات : ۱۳۵

فرمت: word

 

اغلب مدارات در محیط هایی در حال کار هستند که تغییرات دمایی بر آنها اعمال می شود و نوسان دما بر ولتاژ بایاس تاثیر گذاشته ، آن را جابجا می کند . از طرفی یکی از پارامترهای مهم در طراحی مدارات الکترونیک ، دستیابی به بیشترین دامنه نوسان متقارن جریان و ولتاژ در خروجی می باشد . لذا استفاده بهینه و اقتصادی از یک مدار و اخذ ماکزیمم نوسان متقارن در خروجی مستلزم بایاس مدار در نقطه ای است که بیشترین دامنه خطسانی متقارن در دو طرف آن قابل استحصال باشد . توجه به این فاکتور در ساخت مدارات مجتمع در حد معماری و بالاتر اهمیت خود را بیشتر نشان می دهد . چرا که برآیند غیر خطی ها در ترانزیستورهای مختلف موجود در یک IC ، نوسان خروجی را به شدت تحت تاثیر قرار می دهد .در این پروژه با داداه های جریان ولتاژ ، نمودارهای انواع ترانزیستور اثر میدانی سریع HEMT ، در راستای تشخیص رفتار غیر خطی مشخصه هایشان مورد بررسی قرار گرفته است . سپس افت فشردگی بهره بعنوان یکی از مهمترین مشخصات طراحی مدارت غیر خطی نسبت به ولتاژ بایاس بررسی شده است و از بین انواع L-HEMT ، P-HEMT و M-HEMT بهترین نوع و بازه بهینه بایاس ولتاژ در هر کدام ارائه شده است . در ادامه رفتار غیر خطی برای دستیابی به نقطه بهینه بایاسینگ ضمن در نظر گرفتن ملاحظات نوسان دما و برای داشتن بیشترین نوسان متقارن در خروجی بررسی شده است .
فهرست مطالب
عنوان صفحه
فصل اول : مقدمه ای بر پیوند های ناهمگون ۱
۱-۱- مقدمه ۱
۱-۲-حرکت الکترون در پیوند ناهمگون ۱
۱-۳- تقریب لایه تخلیه ۶
۱-۴- معادله پواسون – بولتزمن ۹
فصل دوم : بررسی فیزیک ترانزیستور با پیوند ناهمگونHEMT 12
۲-۱- تحرک باربرها در ترانزیستورهای با آلایش مدوله شده ۱۳
۲-۲- ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونها ( HEMT) 16
۲-۳- عوامل اثر گذار روی ترانزیستور HEMT 18
۲-۴- بررسی لایه های ترانزیستور HEMT 21
فصل سوم : مدل های سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ HEMT 30
۳- ۱- مقدمه ۳۰
۳-۲- معرفی مدل سیگنال کوچک HEMT 31
۳-۲-۱- روشهای مدلسازی ۳۲
۳-۲-۲- مدل کنترل بار ۳۲
۳-۲-۳- مشخصه I-V 35
۳-۲-۴- بررسی عملکرد قطعه در ناحیه اشباع ۳۷
۳-۲-۵- اعمال اثر مقاومتهای خارجی ۳۹
۳-۲-۶- محاسبه ترارسانایی و رسانایی خروجی مدل ۴۰
۳-۲-۷- اعمال اثر مقاومتهای خارجی در رسانایی (اثر و )
۴۱
۳-۲-۸- محاسبه ظرفیتهای مدل ۴۲
۳-۲-۹- اعمال اثر مقاومتهای خارجی در ظرفیت (اثر و )
۴۵
۳-۲-۱۰- تحلیل مشخصه I-V و روابط ریاضی ۴۶
۳-۲-۱۱- نتیجه گیری در مدل سیگنال کوچک ۵۰
۳-۳- معرفی مدل سیگنال بزرگ HEMT 50
۳-۳-۱- ملزومات مدل سیگنال بزرگ در حوزه طراحی مدارات غیرخطی ۵۰
۳-۳-۲- مقایسه مدلهای سیگنال بزرگ HEMT 53
۳-۳-۳- مدلسازی سیگنال بزرگ HEMT های InP
۵۸
۳-۳-۴- نتیجه گیری در مدل سیگنال بزرگ ۵۹
فصل چهارم : شبیه سازی رفتار غیرخطی منحنی مشخصه HEMT 60
۴-۱-رفتار غیر خطی در مدارهای الکترونیکی ۶۱
۴-۱-۱-هارمونی ها ۶۱
۴-۱-۲-فشردگی بهره ۶۲
۴-۲-رفتار غیر خطی در ترانزیستورهای HEMT 63
۴-۳- نتایج شبیه سازی ترانزیستورL-HEMT 66
۴-۴- نتایج شبیه سازی ترانزیستور P-HEMT 70
۴-۵- نتایج شبیه سازی ترانزیستور M-HEMT 74
۴-۶-تفسیر نتایج شبیه سازی انواع HEMT 78
۴-۷-مدهای بایاس ترانزیستور HEMT 79
۴-۷-۱-نتایج شبیه سازی مد کاهشی (D-HEMT) 80
۴-۷-۲-نتایج شبیه سازی مد افزایشی (E-HEMT) 84
۴-۷-۳-تفسیر نتایج شبیه سازی مدهای HEMT 87
۴-۸-منحنی مشخصه های HEMT 88
۴-۹- نتایج شبیه سازی مدهای HEMT با استفاده از شبکه های عصبی ۹۱
فصل پنجم : نتایج و پیشنهادات ۱۰۰
۵-۱-نتایج ۱۰۱
۵-۲-پیشنهادات ۱۰۲
پیوست ها ۱۰۳
پیوست۱: برنامه P-HEMT 104
پیوست۲: برنامه L-HEMT 107
پیوست۳: برنامه M-HEMT 109
پیوست۴: برنامه D-HEMT 111
پیوست۵: برنامه E-HEMT 113
واژه نامه ۱۱۵
منابع و مراجع ۱۱۷

پاسخ دهید